Наведено результати досліджень нового класу термоелектричних матеріалів з високою ефективністю перетворення теплової енергії на електричну, отриманих легуванням напівпровідникових фаз пів-Гейслера TiNiSn, ZrNiSn, HfNiSn, TiCoSb, VFeSb, ZrCoSb та RNiSb (R – рідкісноземельний метал) акцепторними і/або донорними домішками, що дає змогу керувати положенням рівня Фермі, змінюючи значення електроопору, коефіцієнтів термо-ерс та теплопровідності. Дослідження структурних, термодинамічних, електрокінетичних, енергетичних та магнітних властивостей термоелектричних матеріалів дало можливість встановити особливості трансформацій їхніх кристалічної та електронної структур, механізмів електропровідності. Сформульовано та запроваджено фізичні принципи оптимізації властивостей фаз пів-Гейслера для отримання максимальних значень термоелектричної добротності. Зокрема, розроблено алгоритм керування властивостями термоелектричних матеріалів у результаті їхнього моделювання методами KKR (пакет AkaiKKR для потенціалу MJW) та FLAPW у межах теорії функціонала густини DFT (пакет Vienna Ab initio Simulation Package VASP v. 5.4.4) та циклічного корегування початкових умов розрахунків з параметрами експериментальних вимірювань.
Для наукових працівників, аспірантів та студентів спеціальностей “Метрологія та інформаційно-вимірювальна техніка”, “Матеріалознавство”, “Мікро- та наносистемна техніка”, “Прикладна фізика та наноматеріали”.

Зміст

Передмова

Про авторів