- Рубрики
- Філософія, психологія, педагогіка
- Історія
- Політика, право
- Економіка
- Математика
- Фізика
- Хімія, хімічна технологія
- Біологія, валеологія
- Геодезія, картографія
- Загальнотехнічні науки
- ІТ, комп'ютери
- Автоматика, радіоелектроніка, телекомунікації
- Електроенергетика, електромеханіка
- Приладо-, машинобудування, транспорт
- Будівництво
- Архітектура, містобудування
- Мовознавство
- Художня література
- Мистецтвознавство
- Словники, енциклопедії, довідники
- Журнал "Львівська політехніка"
- Збірники тестових завдань
- Книжкові видання
- Наукова періодика
- Фірмова продукція
№ 734 (2012)
УДК 537.311.322
С.В. Cиротюк
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
ЕЛЕКТРОННИЙ ЕНЕРГЕТИЧНИЙ СПЕКТР КРЕМНІЮ З УРАХУВАННЯМ КВАЗІЧАСТИНКОВИХ ПОПРАВОК
© Cиротюк С.В., 2012
S.V. Syrotyuk
ELECTRONIC ENERGY BAND SPECTRUM OF SILICON CRYSTAL WITH QUASIPARTICLE CORRECTIONS
© Syrotyuk S.V., 2012
Розраховані електронні енергетичні спектри кристала кремнію у наближеннях LDA та LDA GW. Порівняння з експериментом показує, що наближення LDA GW завдяки адекватному врахуванню екранування, отриманому за допомогою формалізму функції Гріна, краще описує збуджені стани напівпровідника ніж одночастинкові теорії.
Ключові слова: теорія функціонала густини електронів, зонні енергії електронів, наближення LDA GW.
The electron energy spectrum in silicon crystal has been calculated within the LDA and LDA GW approximations. Comparison with experiment shows that the LDA GW approximation, due to adequate screening, obtained using the Green's function formalism, better describes the excited states of semiconductor than the single particle approaches.
Key words: DFT approach, electron band energies, LDA GW approximation.
Література – 8
УДК 541.136.88, 541.135, 544.65
Б.П. Бахматюк, А.С. Курепа
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра інженерного матеріалознавства і прикладної фізики
ЕЛЕКТРОСОРБЦІЯ ЙОДУ В МІКРОПОРАХ АКТИВОВАНОГО ВУГЛЕЦЕВОГО МАТЕРІАЛУ
© Бахматюк Б.П., Курепа А.С., 2012
У роботі, використовуючи стандартні електрохімічні методики гальваностатичного заряду-розряду і циклічної вольтамперометрії, досліджено механізм електросорбції іонів йоду в мікропори активованого вуглецевого матеріалу з великою доступною для йоду поверхнею 1900 м2/г. Визначено стандартний електродний потенціал процесу електросорбції і отримано близькі значення максимальних розрахованої та експериментальної псевдоємностей 8,14 і 8,3 Ф/м2, відповідно. Отримані порівняно доволі значні питомі характеристики дослідженого матеріалу в системі прототипу гібридного електрохімічного суперконденсатора, на 600-му циклі: = 91%, Рп = 4,24 Вт/г, Сп = 1164 Кл/г, Wп = 0,343 Втгод/г.
Ключові слова: псевдоконденсатор, активований вуглецевий матеріал, електросорбція.
In this paper was investigated the mechanism of ion electrosorption of iodine into the micropores of activated carbon material with a large accessible for iodine surface 1900 m2/g using standard electrochemical methods cyclic voltammetry and galvanostatic cycling. Determined standard electrode potential of electrosorption and obtained close to the maximum of calculated and experimental values of the pseudocapacity 8.14 and 8.3 F/m2 respectively. Obtained relatively high characteristics of investigated material in a system of the prototype of hybrid electrochemical supercapacitor: on 601-th cycle – = 91%, P = 4.24 W/g, C = 1164 C/g, W = 0.343 Wh/g.
Key words: pseudocapacitors, activated carbon material, еlectrosorption.
Література – 14
УДК 539.12.043
І.А. Большакова, Я.Я. Кость, О.Ю. Макідо, А.П. Штабалюк, Ф.М. Шуригін
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки,
Лабораторія магнітних сенсорів Науково-дослідного центру “Кристал”
РАДІАЦІЙНА МОДИФІКАЦІЯ ЯК СПОСІБ СТАБІЛІЗАЦІЇ ПАРАМЕТРІВ In-ВМІСНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ
© Большакова І.А., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Штабалюк А.П., Шуригін Ф.М., 2012
I.A. Bolshakova, Ya.Ya. Kost, O.Yu. Makido, A.P. Shtabalyuk, F.M. Shurygin
RADIATION MODIFICATION AS A METHOD OF PARAMETER STABILIZATION FOR In-CONTAINING SEMICONDUCTOR MATERIALS
© Bolshakova I.A., Kost Ya.Ya., Makido O.Yu., Shtabalyuk A.P., Shurygin F.M., 2012
Проаналізовані методи контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів з використанням опромінення високоенергетичними частинками. Визначено, що для контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів групи ІІІ-V, зокрема, InSb, перспективним є використання методу радіаційної модифікації. Наведені результати дослідження впливу радіаційної модифікації на стабілізацію параметрів сенсорів магнітного поля на основі гетероструктур InSb/i-GaAs.
Ключові слова: радіаційна модифікація, ядерне легування, антимонід індію, радіаційні дефекти, сенсори магнітного поля.
Methods applied to alter the parameters of semiconductor materials in controlled fashion using high-energy particle irradiation have been analysed. It has been determined that radiation modification is a method promising for the controlled parameter alteration of III-V group semiconductor materials, notably InSb. Results of the study into the effect exerted by radiation modification on the parameter stabilization observed in InSb/i-GaAs heterostructure-based magnetic field sensors are presented.
Key words: radiation modification, nuclear doping, indium antimonide, radiation defects, magnetic field sensors.
Література – 18
УДК 621.315.592
О.А. Бурий, С.Б. Убізський
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
ОПТИМІЗАЦІЯ КВАЗІТРИРІВНЕВИХ ТУЛІЄВИХ МІКРОЛАЗЕРІВ НЕПЕРЕРВНОГО РЕЖИМУ РОБОТИ
© Бурий О.А., Убізський С.Б., 2012
Buryy О.А., Ubizskii S.B.,
THE OPTIMIZATION OF THE QUASI-THREE-LEVEL CW THULIUM MICROLASERS
© Buryy О.А., Ubizskii S.B., 2012
Розроблено процедуру оптимізації квазітрирівневих мікролазерів неперервного режиму роботи, яка полягає у визначенні таких значень концентрації активатора, товщини активного середовища та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала, які забезпечують максимальну потужність лазерної генерації. Оптимізаційна процедура покладена в основу порівняльного аналізу активних середовищ YAG:Tm та YAP:Tm, які дозволяють отримати лазерне випромінювання з довжиною хвилі ~2 мкм.
Ключові слова: твердотільній лазер, ітрій–алюмінієвий гранат, теплопровідність.
The procedure of quasi-three-level cw microlasers optimization is elaborated. The procedure consists in determination of such values of the activator concentration, active medium thickness and the output mirror reflectivity that maximizing the power of laser radiation. Based on the optimization procedure the comparative analysis is carried out for YAG:Tm– and YAP:Tm– active media allowing to obtain the laser radiation with wavelength of about 2 m.
Key words: solid-state laser, yttrium-aluminium garnet, heat conductivity.
Література – 20
УДК 621.315.592
І.С. Вірт1, Ю.В. Павловський1, В.М. Цмоць1, І.В. Курило2, І.О. Рудий2, І.Є. Лопатинський2, М.С. Фружинський2
1Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка,
2Національний університет “Львівська політехніка”
МАГНІТНІ ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК ZnMeO (Me = Cr, Co), ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ ІМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАДЖЕННЯ
© Вірт І.С., Павловський Ю.В., Цмоць В.М., Курило І.В., Рудий І.О., Лопатинський І.Є., Фружинський М.С., 2012
I.S. Virt, Yu. V. Pavlovskyy, V. N. Tsmots, I.V. Kurilo, I.O. Rudyi, I.Ye. Lopatynskyi, M.S. Fruginskyi
Virt I.S., Yu. Pavlovskyy V., Tsmots V.N., Kurilo I.V., Rudyi I.O., Lopatynskyi I.Ye., Fruginskyi M.S., 2012
Наведено результати досліджень структури плівок ZnМеO, отриманих методом імпульсного лазерного осадження. Структуру плівок досліджували методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Методом Фарадея досліджено залежності магнітної сприйнятливості від напруженості магнітного поля плівок твердих розчинів Zn1-хCoхO та Zn1-хCrхO (х=0,04). У межах Ланжевенівського парамагнетизму здійснено моделювання експериментальних кривих і визначено концентрації, магнітні моменти та розміри кластерів флуктуацій неоднорідностей твердого розчину.
Ключові слова: оксид цинку, імпульсне лазерне осадження, магнітна сприйнятливість.
The results of experimental investigation of structural films ZnМеO, are presented in this work. Thr structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. By Faradey's method were investigated the dependences of a magnetic susceptibility of tension of magnetic field of films Zn1-хCoхO and Zn1-хCrхO of solid solutions (х=0,04), obtained by pulsed laser deposition. Within Langeven paramagnetic modeling of experimental curves is carried out and concentration, the magnetic moments and the sizes of clusters of fluctuations of not uniformity of solid solution are defined.
Key words: zinc oxide, thin films, structure, magnetic susceptibility, Langeven paramagnetic model.
Література – 9
УДК 621.315.592
М.М. Ваків, Р.С. Круковський
Науково-виробниче підприємство “Карат”
ВИЗНАЧЕННЯ ТЕМПЕРАТУРИ ІНВЕРСІЇ ТИПУ ПРОВІДНОСТІ В ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРАХ InAs, ОТРИМАНИХ РФЕ З ІНДІЄВИХ РОЗПЛАВІВ, ЛЕГОВАНИХ КРЕМНІЄМ
Ваків М.М., Круковський Р.С., 2012
M.M. Vakiv, R.S. Krukovsky
DETERMINATION OF THE INVERSION TEMPERATURE OF CONDUCTIVITY TYPE IN InAs EPITAXIAL LAYERS OBTAINED FROM INDIUM MELTS DOPED BY SILICON
Vakiv M.M., Krukovsky R.S., 2012
Досліджено залежність концентрації електронів та дірок в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих розплавів легованих кремнієм, в інервалі температур 880–820 °С та 780–630 °С. Встановлено, що у високотемпературному інтервалі кристалізуються епітаксійні шари InAs р- типу провідності, а в низькотемпературному n-типу провідності. Цей ефект пояснюється амфотерною поведінкою кремнію в шарах InAs.
Ключові слова: РФЕ, InAs, епітаксія.
The dependence of concentration of electrons and holes in InAs epitaxial layers, obtained from indium melts dopped by silicon in the temperature range of 880–820 °C and 780–630 °C was investigated. It was found that in high-temperature range InAs epitaxial layers of p-type conductivity are intended to crystallize, and in low-temperature – of n-type conductivity. This effect is explained by amphoteric behavior of silicon in InAs layers.
Key words: LPE, InAs, epitaxy.
Література – 3
УДК 537.8, 535.421, 535.4
В.В. Гоблик
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра електронних засобів інформаційно-комп'ютерних технологій
ЕЛЕКТРОМАГНІТНЕ ЗБУДЖЕННЯ ІМПЕДАНСНИХ СТРУКТУР З N-КРАТНОЮ ПЕРІОДИЧНІСТЮ
© Гоблик В.В., 2012
V.V. Hoblyk
ELECTROMAGNETIC EXCITATION OF IMPEDANCE STRUCTURES WITH N-MULTIPLE PERIODICITY
© Hoblyk V.V., 2012
Наведено строгий розв’язок задачі збудження електромагнітних хвиль у плоских структурах, поверхневий імпеданс яких модульований періодичними послідовностями трикутних функцій. Проаналізовані особливості формування спектра просторових гармонік електромагнітного поля такими структурами для різних параметрів модуляції їх поверхневого імпедансу. Показано, що розв’язок цієї задачі має фундаментальне значення для побудови математичних моделей плазмонних структур зі складними законами модуляції поверхневого імпедансу.
Ключові слова: імпедансні структури, гармоніки поля, плазмонні кристали.
A strict solution of the assignment for electrodynamic stimulation of electromagnetic waves at planar structures, where surface impedans is modulated by periodic sequences of triangular functions, are represented. The features of formation of the spectrum of spatial harmonics of the electromagnetic field by such structures for the different parameters of modulation of surface impedance are analysed. It is shown that the solution of this problem is fundamental to the construction of mathematical models of plasmon structures with complex laws of modulation of surface impedance.
Key words: impedance structure, harmonic components, plasmonic crystals.
Література – 24
УДК 621.39
І.В. Горбатий
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра телекомунікацій
ДОСЛІДЖЕННЯ МЕТОДІВ ВИСОКОШВИДКІСНОГО ПЕРЕДАВАННЯ ДАНИХ У СУЧАСНИХ ВОЛОКОННО-ОПТИЧНИХ СИСТЕМАХ
Горбатий І.В., 2012
I.V. Gorbatyy
RESEARCH OF METHODS OF HIGH SPEED DATA TRANSMISSION IN THE MODERN FIBER OPTIC SYSTEMS
Gorbatyy I.V., 2012
Досліджено методи високошвидкісного передавання даних у сучасних волоконно-оптичних системах передавання (ВОСП), виявлено обмеження та вироблено рекомендації щодо їх застосування. Установлено, що найперспективнішим для забезпечення високошвидкісного передавання даних у сучасних ВОСП є використання двополяризаційної М-фазної маніпуляції (ДП М-ФМн), двополяризаційної M-позиційної квадратурної амплітудної модуляції (ДП М-КАМ) та двополяризаційної M-позиційної амплітудної модуляції багатьох складових (ДП М-АМБС), що характеризуються вищою інформаційною ефективністю порівняно із застосованою в нових пристроях для передавання даних двополяризаційною квадратурною фазовою маніпуляцією (ДП КФМн).
Ключові слова: волоконно-оптична система передавання (ВОСП), модуляція сигналу, завадостійке кодування, інформаційна ефективність.
The methods of high-speed data transmission in the modern fiber optic telecommunication systems (FOTS) were explored, the limitations were exposed and recommendations in relation to their application were produced. It was set, that most perspective for providing a high speed data transmission in modern FOTS are the dual polarization M-ary phase shift keying (DP M-PSK), dual polarization M-ary quadrature amplitude modulation (DP М-КАМ) and dual polarization M-ary amplitude modulation of many components (DP М-АМMC), that characterize by the higher informative efficiency in comparison with the dual polarization quadrature phase shift keying (DP QPSK) witch is applying in the new devices for the data transmission.
Key words: fiber optic telecommunication system (FOTS), modulation of signal, antinoise coding, informative efficiency.
Література – 11
УДК 539.234
1), 2) З.Ю. Готра, 1) Д.Ю. Волинюк, 1) Н.В. Костів 1), П.М. Шпатар 3)
1 Національний університет “Львівська політехніка”, 2 Жешувська політехніка
3 Чернівецький національний університет ім. Федьковича
ДОСЛІДЖЕННЯ НАНОРОЗМІРНИХ ПЛІВОК ФТАЛОЦІАНІНУ НІКЕЛЮ (NIPC) ДЛЯ ЕЛЕМЕНТІВ ПАМ’ЯТІ
© Готра З.Ю., Волинюк Д.Ю., Костів Н.В., Шпатар П.М., 2012
Z.Yu. Hotra, D.Yu. Volyniuk, N.V. Kostiv, P.M. Shpatar
INVESTIGATION OF NICKEL PHTHALOCYANINE (NIPC) NANOSCALE FILMS FOR MEMORY CELLS
© Hotra Z.Yu., Volyniuk D.Yu., Kostiv N.V., Shpatar P.M,. 2012
Наведено результати досліджень термовакуумно напилених тонких плівок органічного напівпровідника фталоціаніну нікелю (NiPc) за різних швидкостей осадження для елементів пам’яті. Проведено рентгеноструктурний аналіз та виявлено морфологічні особливості тонких плівок NiPc. Досліджено вольт-амперні (ВАХ) та імпедансні характеристики структури ITO/NiPc/Al. Виявлено бістабільний характер поведінки структури ITO/NiPc/Al, сформованої із високою швидкістю осадження NiPc.
Ключові слова: фталоціанін нікелю, бістабільність, електронний елемент пам’яті.
In this work presented the results of investigation of nickel phthalocyanine (NiPc) thin films prepared by thermal vacuum deposition with different deposition rate for memory cells. X-Ray diffraction and surface morphology images of NiPc thin films were investigated. It was studied the current-voltage and impedance characteristics of structure ITO/NiPc/Al. Revealed bistable behavior of structure ITO/NiPc/Al fabricated with high deposition rate of NiPc.
Key words: nickel phtalocyanine, bistable, electronic memory cell.
Література – 16
УДК 621.315.592
З.Ю. Готра1, Р.Л. Голяка1, І.М. Годинюк2, Т.А. Марусенкова1, В.Ю. Ільканич1
Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра електронних приладів,
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
2кафедра радіотехніки та інформаційної безпеки
ДОСЛІДЖЕННЯ ЕНЕРГОЕФЕКТИВНОСТІ ІМПУЛЬСНИХ РЕЖИМІВ ФУНКЦІОНУВАННЯ ГАЛЬВАНОМАГНІТНИХ СЕНСОРНИХ ПРИСТРОЇВ
Готра З.Ю., Голяка Р.Л., Годинюк І.М., Марусенкова Т.А., Ільканич В.Ю., 2012
Z. Hotra, R. Holyaka, I. Hodynyuk, T. Marusenkova, V. Ilkanych
ENERGY-EFFICIENCY INVESTIGATION IN PULSE MODE GALVANO-MAGNETIC SENSOR DEVICES
Hotra Z., Holyaka R., Hodynyuk I., Marusenkova T., Ilkanych V., 2012
Наведено аналіз енергоефективності функціонування сенсорних пристроїв магнітного поля на холлівських сенсорах з імпульсним режимом живлення. Мінімізація енергоспоживання забезпечується циклічним переходом між короткочасними імпульсами вимірювання та тривалими паузами з вимкнутими колами живлення холлівського сенсора та сигнального перетворювача. Керування здійснюється Wake-up таймером мікроконвертера. Сформульовано та проаналізовано функції оптимізації енергоспоживання в імпульсному режимі живлення. Наводяться результати експериментальних досліджень динамічних характеристик сигнальних перетворювачів та аналіз впливу цих характеристик на енергоспоживання пристрою.
Ключові слова: холлівські сенсори, сигнальні перетворювачі, енергоефективність.
The work gives an analysis of energy-efficiency of magnetic field sensor devices based on Hall elements with pulse feed mode. Power consumption minimization is provided by the cyclic change of short-term measurement impulses and long-term pauses with the open feed circuits of a Hall sensor and a signal transducer. Control is performed by the Wake-up timer of a microconverter. The work gives a formulation and an analysis of the function of power consumption optimization in a pulse feed mode. The results of experimental investigations on the dynamic characteristics of signal transducers and an analysis of the influence of these characteristics on the device’s power consumption are presented.
Кey words: Hall sensor, signal transducer, energy-efficiency.
Література – 11
УДК 621.315.592
А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, Р.М. Корецький, С.Ю. Яцухненко
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ ТА МАГНЕТООПІР НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ
Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Корецький Р.М., Яцухненко С.Ю., 2012
A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, R.M. Koretskyy, S.Yu. Yatsukhnenko
CONDUCTANCE AND MAGNETORESISTACE OF Si WHISKERS
Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Khoverko Yu.M., Koretskyy R.M., Yatsukhnenko S.Yu., 2012
На основі дослідження електропровідності ниткоподібних кристалів Si
Ключові слова: ниткоподібні кристали, кремній, електропровідність, магнетоопір.
Conductance investigations of Si
Key words: whiskers, silicon, conductance, magnetoresistance.
Література – 13
УДК 537.312
Г.І. Клим1, В.О. Балицька2, І.В. Гадзаман3, О.Й. Шпотюк4
1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра спеціалізованих комп’ютерних систем,
2Львівський державний університет безпеки життєдіяльності,
3Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка,
4Науково-виробниче підприємство “Карат”
ДЕГРАДАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В ТЕМПЕРАТУРНО-ЧУТЛИВИХ ТОВСТОПЛІВКОВИХ СТРУКТУРАХ
© Клим Г.І., Балицька В.О., Гадзаман І.В., Шпотюк О.Й., 2012
H.I. Klym, V.O. Balitska, I.V. Hadzaman, O.I. Shpotyuk
DEGRADATION PROCESSES IN TEMPERATURE-SENSITIVE THICK-FILM STRUCTURES
© Klym H.I., Balitska V.O., Hadzaman I.V., Shpotyuk O.I., 2012
Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одно- та мультирівневих температурно-чутливих товстоплівкових структурах на основі змішаних манганітів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності) та Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності). Встановлено, що в досліджуваних товстих плівках р- та p+-типу активуються процеси вигорання залишків органічної зв'язки між зернами шпінелі та одночасне проникнення в простір металевого срібла. Такі процеси описуються стисненою експоненціально-степеневою релаксаційною функцією. Для товстоплівкових р+-р структур характерні власні деградаційні процеси, які проявляються у збільшенні електричного опору, а кінетика їх термоіндукованого старіння адекватно описується розширеною експоненціально-степеневою функцією.
Ключові слова: деградація, мультирівнева структура, товста плівка, шпінель.
The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single-and multilayered temperature-sensitive thick-film structures based on mixed manganices Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with p-types of electrical conductivity) are investigated. It is established, that two interconnected processes are activated during degradation test in p- and p+-type thick film - the burning-out of remainders of organic binder between contacting spinel grains with simultaneous Ag penetration into appeared free-volume space. The own degradation processes in thick-film р+-р structures show up in the increase of electric resistance. Their degradation kinetics are adequately described by the extended exponential-power-like relaxation function.
Key words: degradation, multilayer structure, thick film, spinel.
Література – 20
УДК 541.136.2
Д.В. Матулка, І.І. Григорчак, Б.А. Лукіянець
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фізичного матеріалознавства та прикладної фізики
МОЛЕКУЛЯРНЕ РОЗПІЗНАВАННЯ І ТЕРМОДИНАМІЧНІ ОСОБЛИВОСТІ Li+ - ІНТЕРКАЛЯЦІЙНОГО СТРУМОУТВОРЕННЯ У СУПРАМОЛЕКУЛЯРНИХ АНСАМБЛЯХ ІЄРАРХІЧНОЇ АРХІТЕКТУРИ МСМ-41<сrown>
Матулка Д. В., Григорчак І. І., Лукіянець Б. А., 2012
D.V. Matulka, I.I. Grygorchak, B.A. Lukiyanets
MOLECULAR RECOGNITION AND THERMODYNAMIC PECULIARITIES OF THE Li + - INTERCALATION CURRENT GENERATION IN SUPRAMOLECULAR ENSEMBLE WITH HIERARCHIAL ARCHITECTURES MCM-41
Matulka D.V., Grygorchak I.I., Lukiyanets B.A., 2012
Синтезовано дублетноматричні ієрархічні структури конфігурації <молекулярно-граткова матриця МСМ-41<18-crown-6>> та МСМ-41<12-crown-4>>. Їх застосування в катодному процесі Li+ - інтеркаляційного струмоутворення показало істотне підвищення зміни вільної енергії Гіббса реакції покращення структури розрядної кривої порівняно з вихідною кремнеземовою матрицею.
Ключові слова: молекулярно-граткові структури; інтеркаляція, енергія Гіббса, супрамолекулярні ансамблі, молекулярне розпізнавання
Doublet matrix hierarchical structures of configurations
Key words: molecular lattice matrix structures, intercalation, Gibbs energy, supramolecular ensemble, molecular recognition
Література – 17
УДК 621.315.592
О.М. Мислюк, С.М. Чупира, О.Г. Грушка, С.В. Білічук
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
кафедра електроніки і енергетики
ТРАНСФОРМАЦІЯ НЕСТАЦІОНАРНИХ СТАНІВ СПІНОВОЇ ПІДСИСТЕМИ НАПІВМАГНІТНОГО НАПІВПРОВІДНИКА В ГРІЮЧИХ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПОЛЯХ
© Мислюк О.М., Чупира С.М., Грушка О.Г., Білічук С.В., 2012
O.M. Mysliuk, S.M. Chupyra, O.G. Grushka, S.V. Bilichuk
STATE TRANSFORMATION FOR THE NON-STATIONARY SPIN SUBSYSTEM OF THE SEMIMAGNETIC SEMICONDUCTOR UNDER CARRIER-WARMING ELECTRIC FIELD
© Mysliuk O.M., Chupyra S.M., Grushka O.G., Bilichuk S.V., 2012
Для спінової підсистеми напівпровідника з глибоким домішковим рівнем, що створюється елементом з незаповненою 3d- або 4f-оболонкою, отримано систему диференційних рівнянь для розрахунку просторово-часових розподілів концентрації та ступеня спінової поляризації зонних електронів і магнітних іонів від величини керуючих параметрів. За допомогою числових методів досліджено трансформацію динамічних станів спінової підсистеми і описано її в термінах теорії самоорганізації – розмірності Хаусдорфа та показників Ляпунова. Показано, що спінова підсистема у InP:Fe в актуальній області електричних полів стійка до зміни зовнішніх факторів і залежно від значень напруженості поля може перебувати у п’яти стійких станах, у п’ятикратно виродженому стані або у стані детермінованого хаосу.
Ключові слова: напівмагнітний напівпровідник, спінова підсистема, розмірність Хаусдорфа, показник Ляпунова.
For spin subsystem in semiconductor with deep impurity level, created by an element with incomplete 3d- or 4f-shell the differential equation system has deen obtained. It allows the calculation of space-time concentration distributions and spin polarization degree for the band electrons and magnetic ions as a function of control parameters. The transformation of dynamic states of the obtained system was investigated numerically and it was described in terms of the theory of self-organization, namely Hausdorff dimension and Lyapunov exponents. It was shown that spin subsystem of InP:Fe in the range of the actual electrial fields is stable under external factor changes and depending on field intensity it is possible for the system to be between the five stable states, five-multiple degenerated state or in the state of deterministic chaos.
Key words: semimagnetic semiconductor, spin subsystem, Hausdorff dimension, Lyapunov exponent.
Література – 12
УДК 548.0:515.511
Б.Г. Мицик, Я.П. Кость, Н.М. Дем’янишин
Фізико-механічний інститут НАН України
ФОТОПРУЖНІСТЬ КРИСТАЛІВ ФОСФІДУ ГАЛІЮ
Мицик Б.Г., Кость Я.П., Дем’янишин Н.М., 2012
B.G. Mytsyk, Ya. P. Kost', N.M. Demyanyshyn
PHOTOELASTICITY OF GALLIUM PHOSPHIDE CRYSTALS
© Mytsyk B.G., Kost'Ya. P., Demyanyshyn N.M., 2012
Для кристалів фосфіду галію (GaP) на основі п’єзооптичних коефіцієнтів πim розраховані пружнооптичні коефіцієнти рin і коефіцієнт акустооптичної якості М2. Значення М2 кристалів фосфіду галію більш ніж на порядок перевищує М2 модельного акустооптичного матеріалу ніобату літію. Отримано співвідношення для вказівних поверхонь пружнооптичного ефекту, на основі яких побудовано відповідні поверхні і знайдено кутові координати їх екстремумів. Максимальна величина M2, визначена на основі максимуму пружнооптичної поверхні, переважає коефіцієнт M2 для найбільшого значення пружноптичного коефіцієнта (0,23) на 70%.
Ключові слова: пружнооптичні коефіцієнти, коефіцієнт акустооптичної якості, вказівна поверхня, температурна стабільність, фосфід галію.
For gallium phosphide (GaP) crystals the elasto-optic coefficients рin and the acousto-optic figure of merit М2 were calculated based on the piezo-optic coefficients πim. Value of М2 for gallium phosphide crystals is more than an order of magnitude higher than М2 for the model acousto-optic material of lithium niobate. The relation for the indicative surfaces of elasto-optic effect were obtained based on which corresponding surface were built and angular coordinates of extrema were found as well. The maximum value of M2 that defined based on the maximum elasto-optic surface were dominated coefficient M2 for the largest value of the elasto-optic coefficient (0.23) by 70%.
Key words: elasto-optic coefficients, acousto-optic figure of merit, indicative surface, temperature stability, gallium phosphide.
Література – 16
УДК 532.783
Н.А. Огонь, Н.Івашків, Л.О. Василечко
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
КОНЦЕНТРАЦІЙНО- ТА ТЕРМІЧНО-ІНДУКОВАНІ ФАЗОВІ ПЕРЕТВОРЕННЯ В СИСТЕМІ NdAlO3-EuAlO3
© Огонь Н.А., Івашків Н., Василечко Л.О. 2012
N.A. Ohon`, N. Ivashkiv, L.O. Vasylechko
CONCENTRATION AND TEMPERATURE-DRIVEN PHASE TRANSITIONS IN THE NdAlO3EuAlO3 SYSTEM
© Ohon’ N.A.., Ivashkiv N., Vasylechko L.O., 2012
Методами рентгенофазового та рентгеноструктурного аналізу проведено дослідження фазової та структурної поведінки системи NdAlO3–EuAlO3 в широкому концентраційному діапазоні. Встановлено, що при кімнатній температурі існує два види твердих розчинів Nd1 xEuxAlO3 з ромбоедричною (x 0.15) та ромбічною (x 0.25) структурами. Морфотропний фазовий перехід, за якого спостерігається співіснування двох перовськітних фаз, відбувається при x ≈ 0.20. Методами in situ високотемпературної порошкової дифракції високого розділення з використанням синхротронного випромінювання та диференціального термічного аналізу встановлено існування фазового переходу 1-го роду Pbnm↔R c в Nd0.6Eu0.4AlO3 при температурі 627 K
Ключові слова: перовськіт, кристалічна структура, фазовий перехід.
Phase and structural behaviour in the NdAlO3–EuAlO3 system has been studied in a whole concentration range. Depending on x two kinds of solid solutions Nd1 xEuxAlO3 one with rhombohedral (x 0.15) and one with orthorhombic (x 0.25) symmetry exist at room temperature. A morphotropic phase transition occurs at x ≈ 0.20, where the co-existence of both phases was observed. First-order structural phase transition Pbnm↔ R c has been detected in Nd0.6Eu0.4AlO3 at 627 K both from in situ high-temperature X-ray synchrotron powder diffraction and differential thermal analysis data.
Key words: rare earth aluminates, perovskites, crystal structure, phase transition.
Література – 27
УДК 530.145
Г.А. Петровська1, В.М. Фітьо1, Я.В. Бобицький1,2
1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фотоніки
2Інститут техніки Жешувського університету, Польща
ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА ВІДГУК ГРАТКИ БРЕГГА НА ОПТИЧНОМУ ВОЛОКНІ
© Петровська Г.А., Фітьо В.М., Бобицький Я.В., 2012
G.A. Petrovska, V.M. Fitio, Ya.V.Bobitskii
INFLUENCE OF TEMPERATURE IN REPLY OF BREGG GRATING ON OPTICAL FIBRE
© Petrovska G.A., Fitio V.M., Bobitski Ya.V., 2012
На основі наближеної теорії поширення оптичних хвиль в одномодовому оптичному волокні визначено постійні поширення та коефіцієнти зв’язку між модами за наявності у волокні гратки Брегга. Методом зв’язаних хвиль проведено розрахунки коефіцієнта відбивання від граток Брегга на оптичному волокні та досліджено вплив температури на коефіцієнт відбивання від ґратки на серцевині волокна. Показано, що для типових кварцових волокон температурна складова відгуку гратки є значно більшою за відгук, спричинений механічним розтягом волокна з граткою, що вимагає під час конструювання волоконно-оптичних давачів механічних навантажень використання в них незалежного вимірювача температури.
Ключові слова: волоконно-оптичний сенсор, ґратка Брегга, чутливість.
The propagation constants and coupling factors between modes have been defined by the approximate theory of propagation of optical waves in single-mode optical fiber on conditions that Bragg grating is in the fiber. The calculation of the reflection Bragg grating on optical fiber and investigation of the influence of temperature on the reflection grating on the fiber core are provided by coupled wave method. It is shown that component temperature of the grating response is much larger than the response caused by mechanical extension of the fiber with grating for typical silica fiber. This needs use independent temperature meter at the design of the fiber-optic sensors of mechanical loads.
Key words: Fiber optic sensor, Bragg grating, sensitivity.
Література – 11
УДК 537.312:621.383
І.О. Рудий1, І.В. Курило1, І.Є. Лопатинський1, М.С. Фружинський1, І.С. Вірт2
1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фізики, кафедра напівпровідникової електроніки
2Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, Україна
ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ПЛІВОК AgSbSe2 ДЛЯ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ
© Рудий І.О., Курило І.В., Лопатинський І.Є., Фружинський М.С., Вірт І.С., 2012
I.O. Rudyi, I.V. Kurilo, I.Ye. Lopatynskyi, M.S. Fruginskyi, I.S. Virt
THE PROPERTIES OF AgSbSe2 THIN FILMS FOR THERMOELECTRIC CONVERTERS
© Rudyi I.O., Kurilo I.V., Lopatynskyi I.Ye., Fruginskyi M.S., Virt I.S., 2012
Наведено результати досліджень структури та оптичних властивостей тонких плівок AgSbSe2. Методом імпульсного лазерного осадження у вакуумі 1×10-5 Торр в інтервалі температур 300–473 K отримано плівки різної товщини на підкладках зі скла, Al2O3 та KCl. Товщина плівок становила 0,5–1 мкм залежно від кількості імпульсів лазера. Структуру масивного матеріалу мішені досліджено методом Х-променевої дифрактометрії, а плівок – методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Досліджено оптичне пропускання та оптичне поглинання плівок AgSbSe2, осаджених за різних температур. Досліджено термоелектричні властивості плівок.
Ключові слова: халькогенідні стекла, тонкі плівки, структура, оптичні властивості.
The results of experimental investigation of structural and optical properties of AgSbSe2 films are presented in this work. The films of AgSbSe2 of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1×10-5 Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained by the substrate temperature 300–473 K. A thickness of films was in the range of 0.5–1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. The light transmission and absorption spectra of AgSbSe2 deposited at various temperatures films were investigated.
Key words: chalcogenide glasses, thin films, structure, optical properties.
Література – 9
УДК 621.315.592.3
Є.І. Слинько 1, В.М. Водоп’янов 1, А.П. Бахтінов 1, В.І. Іванов 1, В.Є. Слинько 1, W. Dobrowolski 2, V. Domukhowski 2
1 Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України, вул. І. Вільде 5, 58001, Чернівці, Україна
2 Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
ВПЛИВ ГРАДІЄНТНОГО МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА РОЗПОДІЛ Mn У ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ Ge1-x-ySnxMnyTe, ВИРОЩЕНИХ МЕТОДОМ БРІДЖМЕНА
Слинько Є.І., Водоп’янов В.М., Бахтінов А.П., Іванов В.І., Слинько В.Є., Dobrowolski W., Domukhowski V., 2012
E.І. Slynko, V.М. Vodopyanov, А.P. Bakhtinov, V.І. Іvanov, V.E. Slynko, W. Dobrowolski, V. Domukhowski
EFFECT OF GRADIENT MAGNETIC FIELD ON DISTRIBUTION OF Mn IN SOLID SOLUTIONS Ge1-x-ySnxMnyTe GROWN BY THE BRIDGMAN METHOD
© Slynko E.І., Vodopyanov V.М., Bakhtinov А.P., Іvanov V.І., Slynko V.E., Dobrowolski W., Domukhowski V., 2012
Експериментально доведено вплив градієнтного магнітного поля на повздовжній розподіл Mn у монокристалах твердих розчинів Ge1-x-ySnxMnyTe, вирощених вертикальним методом Бріджмена. Напрямок градієнта змінювався шляхом повертання спеціальних наконечників полюсів магніту. Максимальне відхилення молярного вмісту Mn у злитках однакового складу, вирощених при протилежних напрямках градієнта, становило ±2,45 молярних %. Селективна дія градієнтного магнітного поля на парамагнітні домішки дозволяє керувати їх вмістом для отримання зразків з необхідними параметрами.
Ключові слова: градієнтне магнітне поле, зона ізодинамічності, метод Бріджмена, тверді розчини, A4B6, висока температура Кюрі, розподіл домішок, рентгенівський флуоресцентний аналіз, рентгенівська дифрактометрія.
The effect of gradient magnetic field on longitudinal distribution of Mn is experimentally proved for single crystals of solid solutions Ge1-x-ySnxMnyTe grown by the vertical Bridgman method. Direction of the gradient was changing by turning special tips of the magnet poles. The maximum deviation of molar content of Mn in the same composition ingots grown in opposite gradient directions was ±2,45 mole %. Selective effect of gradient magnetic field on the paramagnetic impurities allows managing their content to obtain samples with required parameters.
Key words: gradient magnetic field, isodynamic zone, Bridgman method, solid solutions, A4B6, high Curie temperature, distribution of impurities, X-ray fluorescence analysis, X-ray diffractometry.
Література – 5
УДК 621.315.592
Р.М. Стецко
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки,
Лабораторія магнітних сенсорів
ТЕХНОЛОГІЯ ОТРИМАННЯ МІКРОКРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ GaAs-InAs З ПАРОВОЇ ФАЗИ
© Стецко Р.М., 2012
R.M. Stetsko
TECHNOLOGY OF OBTAINING GaAs-InAs SOLID SOLUTION MICROCRYSTALS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
© Stetsko R.M., 2012
Наведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу.
Ключові слова: пара-рідина-кристал, твердий розчин, мікрокристали, арсенід індію, арсенід галію.
Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained.
Key words: vapor-liquid-solid, solid solution, microcrystals, indium arsenide, gallium arsenide.
Література – 14
УДК 621.382.323
М.В. Тиханський, Р.Р. Крисько
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
ВПЛИВ ПАРАМЕТРІВ КЕРУЮЧИХ ІМПУЛЬСІВ НА СТАБІЛЬНІСТЬ РОБОТИ ДЖОЗЕФСОНІВСЬКИХ ЕЛЕМЕНТІВ ЛОГІКИ “НЕ”
© Тиханський М.В., Крисько Р.Р., 2012
M.V. Tyhanskyi, R.R. Krysko
THE INFLUENCE OF THE CONTROLLING PULSES’ PARAMETERS ON THE OPERATIONAL STABILITY OF JOSEPHSON LOGICAL ELEMENTS “NOT”
© Tyhanskyi M.V., Krysko R.R., 2012
Запропоновано схему та принцип роботи цифрових логічних елементів “НЕ” на основі джозефсонівських кріотронів. Керування логічним станом таких елементів логіки здійснювалось за допомогою зовнішніх імпульсів магнітного потоку. Створено математичну модель перехідних процесів у джозефсонівських логічних елементах “НЕ” під час зміни їх логічного стану під дією керуючих сигналів та розраховано перехідні характеристики. Досліджено вплив параметрів імпульсів керуючих сигналів на швидкодію та стабільність роботи таких елементів логіки та оцінено час комутації для логічних переходів “1”→“0” та “0”→“1”.
Ключові слова: логічний елемент, джозефсонівський логічний елемент, перехідний процес, перехідна характеристика, логічний перехід, час комутації.
The scheme and the operational principle of digital logical elements “NOT” based on Josephson cryotrons were proposed in the given work. The control of the logical state of such logical elements was realized by means of external magnetic flux pulses. We developed a mathematical model of the transition processes in Josephson logical elements „NOT“ during the change of their logical state induced by controlling sygnals and calculated respective transition characteristics. We studied the influence of the controlling pulses’ parameters on the operational speed and stability of these logical elements and estimated the commutation time for logical transitions “1”→“0” and “0”→“1”.
Key words: logical element, Josephson logical element, transition process, transition characteristic, logical transition, commutation time.
Література – 8
УДК 537.311
К.К. Товстюк, Д.І. Гордон, І.І. Саган, І.З. Цегольник
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра електронних засобів інформаційно-комп’ютерних технологій
ТЕРМОДИНАМІЧНІ ФУНКЦІЇ КВАЗІКЛАСИЧНОГО ГАЗУ ЕЛЕКТРОНІВ У СИЛЬНОАНІЗОТРОПНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ
Товстюк К.К., Гордон Д.І., Саган І.І., Цегольник І.З., 2012
THERMODYNAMIC FUNCTIONS OF QUASI CLASSICAL ELECTRON GAS IN STRONGLY ANISOTROPIC SEMICONDUCTORS
Наведено результати обчислення та зіставлення термодинамічних функцій квазікласичного газу із різними модельними залежностями енергії від квазіімпульсів: параболічної та сильно анізотропної (містить залежність від квазіімпульсу у четвертому порядку) у , плівки якого (наноструктури) застосовуються у фотовольтаічних пристроях. Зіставлення отриманих функцій показало несумісність розглянутих моделей навіть у випадку квазікласичного газу. Окрім того, наявність особливих точок для внутрішньої енергії та теплоємності вказують на обмежені можливості застосування сильно анізотропної дисперсії, зокрема некоректне використання такої моделі для цілої зони Бріллюена.
Ключові слова: термодинамічні функції, сильно анізотропні, шаруваті напівпровідники.
In this communication we report about the evaluation and comparison results of thermodynamic functions of quasi classical gas with different models of one-particle spectrum: parabolic and strongly anisotropic (includes the dependences of quasi momentum in fourth degree) in - the films (nanostructures) from which are wide used in photovoltaic devices. The carried out numerical investigation pointed out the incompatibility of two models still for quasiclassical gas. Besides, the existence of special points for intrinsic energy and heat conductivity show the limited possibilities of strong anisotropic model, particularly it is not correct to use this model for the whole Brillouin Zone.
Key words: thermodynamic functions, strongly anisotropic, layered semiconductors.
Література – 19
УДК 530.145
В.М. Фітьо
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фотоніки
ЗАСТОСУВАННЯ ПЕРЕТВОРЕННЯ ФУР’Є ДЛЯ РОЗВ’ЯЗАННЯ ОДНОВИМІРНОГО РІВНЯННЯ ШРЕДІНҐЕРА
© Фітьо В.М., 2012
V.M. Fitio
APPLYING FOURIER TRANSFORMATION FOR SOLUTION OF THE ONE-DIMENSIONAL SCHRÖDINGER EQUATION
© Fitio V.M., 2012
Розроблено числовий метод розв’язання стаціонарного одномірного рівняння Шредінґера. Метод ґрунтується на перетворенні Фур’є хвильового рівняння. Внаслідок чого отримуємо інтегральне рівняння, в якому інтеграл замінюємо підсумовуванням. Остаточно отримаємо задачу лінійної алгебри на власні числа та власні вектори, які відповідають дискретним рівням енергії та Фур’є-образам хвильових функцій. За допомогою зворотного Фур’є-перетворення отримаємо хвильову функцію. Для одновимірного скінченного кристала дискретні рівні енергії розщеплюються і формують заборонені та дозволені зони. Метод перевірений на багатьох прикладах і характеризується високою точністю пошуку дискретних рівнів енергії.
Ключові слова: перетворення Фур’є, рівняння Шрединґера, згортка, рівні енергії.
Developed a numerical method of solution of the one-dimensional steady Schrödinger equation. This method is based on Fourier transformation of the wave equation. As a result, we obtain integral equation, in which we replace integral with summation. Finally we get the problem of linear algebra on eigenvalues and eigenvectors that correspond to discrete energy levels and the Fourier transform of wave functions. Using inverse Fourier transformation we get wave function. For one-dimensional finite crystal discrete energy levels are split and form band gaps and allowed zones. This method was tested on many examples and is characterized by precision search of discrete energy levels.
Key words: Fourier transformation, Schrödinger equation, convolution, energy levels.
Література – 8
УДК 546.548
О.В. Харко, Л.О. Василечко
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
СТРУКТУРНА ПОВЕДІНКА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ У СИСТЕМІ PrCoO3PrFeO3
© Харко О.В., Василечко Л.О., 2012
О.V. Kharko, L.O. Vasylechko
STRUCTURAL BEHAVIOR OF SOLID SOLUTIONS IN THE PrCoO3PrFeO3 SYSTEM
© Kharko O.V., Vasylechko L.O., 2012
Методом порошкової дифракції рентгенівського та синхротронного випромінювання досліджено кристалічну структуру нових змішаних кобальтитів-феритів празеодиму PrCo1 xFexO3, одержаних твердофазним синтезом на повітрі при 1300 C. Встановлено, що всі синтезовані зразки мають ромбічно деформовану структуру перовськіту, ізоструктурну до PrFeO3 та PrCoO3. Одержані значення структурних параметрів вказують на утворення неперервного твердого розчину в системі PrFeO3-PrCoO3. Особливістю твердого розчину PrCo1 xFexO3 є перетин параметрів елементарних комірок та утворення розмірно тетрагональних та кубічних структур за певних співвідношень Fe/Co.
Ключові слова: змішані кобальтити-ферити, перовскит, кристалічна структура, тверді розчини, термічне розширення.
Crystal structure of new mixed praseodymium cobaltites-ferrites PrCo1 xFexO3, obtained by solid state reaction in air at 1300 oC, has been studied by means of X-ray powder diffraction technique applied laboratory and synchrotron radiation sources. It was found that all samples synthesized adopt orthorhombic perovskite structure, isostructural with PrFeO3 and PrCoO3. The obtained values of structural parameters indicate the formation of continuous solid solution in the system PrFeO3-PrCoO3. Peculiarity of the PrCo1 xFexO3 solid solution is the lattice parameter crossover and appearance of dimensionally tetragonal and cubic structures at certain Fe/Co ratios.
Key words: mixed cobaltites-ferrites, perovskite, crystal structure, solid solutions, thermal expansion.
Література – 23
УДК 535.682.1:681.7.031
Д. Чалий1, М. Шпотюк2
1Львівський державний університет безпеки життєдіяльності,
кафедра пожежної тактики та аварійно-рятувальних робіт
2Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ДЛЯ ВИСОКОНАДІЙНИХ СЕНСОРІВ ТЕМПЕРАТУРИ
Чалий Д., Шпотюк М., 2012
D. Chalyy, M. Shpotyuk
CHALCOGENIDE GLASSES FOR HIGH-RELIABLE TEMPERATURE SENSORS
Chalyy D., Shpotyuk M., 2012
У роботі повідомляється про принципову можливість застосування халькогенідних стекол як активних середовищ для високонадійних сенсорів температури. Всі дослідження виконані на прикладі халькогенідного скла Ge18As18Se64, яке є типовим представником ковалентних сіткових стекол із жорсткою структурою. З використанням диференціальної сканувальної калориметрії показано, що два роки витримки цих стекол за нормальних умов не призводять до зміни їх калориметричних властивостей (температури переходу скло–переохолоджена рідина та площі ендотермічного піка). Встановлено, що температурна залежність оптичного пропускання в області краю фундаментального оптичного поглинання має квазі-лінійний характер у діапазоні від кімнатної температури до переходу скло–переохолоджена рідина.
Ключові слова: халькогенідні скла, сенсори температури, оптична спектроскопія, диференціальна сканувальна калориметрія.
In this paper we report on the possibility of application of chalcogenide glasses as active media in high-reliable temperature sensors. All investigations were performed on the example of Ge18As18Se64 chalcogenide glasses as typical covalent network glass with rigid structure. Using differential scanning calorimetry it was shown that 2 years of natural storage of these glasses does not lead to the drift of their calorimetric properties (glass transition temperature and endothermic peak area). It was shown that temperature dependence of optical transmission in the fundamental optical absorption edge region is quasi-linear in the region from room temperature to the glass transition.
Key words: chalcogenide glasses, temperature sensors, optical spectroscopy, differential scanning calorimetry.
Література – 12
УДК 537.311.322
В.М. Швед
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
ВПЛИВ ЛОКАЛЬНИХ МІЖЕЛЕКТРОННИХ КОРЕЛЯЦІЙ НА ЗНАЧЕННЯ РОЗРАХОВАНИХ ЗОННИХ ЕНЕРГІЙ У КРИСТАЛІ GaN
© Швед В.М., 2012
V.M. Shved
INFLUENCE OF LOCAL ELECTRON CORRELATIONS ON THE CALCULATED BAND ENERGY VALUES IN CRYSTAL GaN
© Shved V.M., 2012
Розраховані парціальні густини електронних станів та електронні енергетичні спектри кристала GaN з градієнтними поправками у функціоналі обмінно-кореляційної енергії без і з урахуванням сильних локальних кореляцій напівостовних 3d-електронів Ga. Розрахунки виконані за методом проекційних приєднаних хвиль. Отримані результати вказують на важливість урахування локальних кореляцій, без яких розщеплені полем кристала 3d-рівні Ga розміщені у валентній зоні, що суперечить експерименту.
Ключові слова: парціальна густина електронних станів, повна густина електрон¬них станів, гібридизовані енергетичні стани, сильно скорельовані електрони.
Partial density of electronic states and electronic energy spectra of the crystal GaN with gradient corrections in the exchange-correlation energy functional without and with taking into account the strong local correlations of semicore 3d-electrons of Ga is calculated. Calculations are performed by the projector augmented waves method. The results indicate the importance of taking into account local correlations, without which 3d-levels of Ga, splitted by crystal field, appear in the valence band contrary to experiment.
Key words: electron energy spectra, partial density of states, total density of states, hybridized states, strongly correlated electrons.
Література – 12
