№ 646 (2009)

УДК 537.311.322

С.В. Cиротюк, Ю.Є. Кинаш, В.М. Швед

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ЕЛЕКТРОННA ЕНЕРГЕТИЧНA СТРУКТУРА АЛМАЗУ, КРЕМНІЮ ТА ГЕРМАНІЮ, ОТРИМАНА З УРАХУВАННЯМ ГРАДІЄНТНИХ ПОПРАВОК ДО ФУНКЦІОНАЛІВ ОБМІННОЇ Й КОРЕЛЯЦІЙНОЇ ЕНЕРГІЇ

© Cиротюк С.В., Кинаш Ю.Є., Швед В.М., 2009

S.V. Syrotyuk, Yu.E. Kynash, and V.M. Shved

ELECTRONIC ENERGY BAND STRUCTURE OF DIAMOND, SILICIUM AND GERMANIUM, EVALUATED WITH GRADIENT CORRECTIONS TO THE FUNCTIONALS OF EXCHANGE AND CORRELATION ENERGY

© Syrotyuk S.V., Kynash Yu.E., and Shved V.M., 2009

Розраховані електронні енергетичні спектри кристалів C, Si та Ge у наближенні функціонала локальної електронної густини з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії C, Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів.

The electronic energy bands of C, Si and Ge have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in C, Si and Ge obtained here are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach.

Кількість посилань – 19

Завантажити статтю

УДК 548.24

Н.В. Mартинюк1, О.А. Бурий1, С.Б. Убізький, І.І. Сиворотка2, А. Бьоргер3, К.Д. Беккер3

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки;
2 Інститут матеріалів, Науково-виробниче підприємство “Карат”, м. Львів;
3Технічний університет, Брауншвейг, Німеччина

РОЛЬ ПОВЕРХНІ У ПРОЦЕСІ ПЕРЕЗАРЯДЖЕННЯ YB2+  YB3+ У МОНОКРИСТАЛІЧНИХ ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРАХ YB:Y3AL5O12

© Mартинюк Н.В., Бурий О.А., Убізський С.Б., Сиворотка І.І.,Бьоргер А., Беккер К.Д., 2009

N.V. Martynyuk, O.A. Buryy, S.B. Ubizskii, I.I. Syvorotka, A. Börger, K.D. Becker

INFLUENCE OF THE SURFACE ON YB2+  YB3+ RECHARGE PROCESSES IN MONOCRYSTALLINE EPITAXIAL FILMS YB:Y3AL5O12

© Martynyuk N.V., Buryy O.A., Ubizskii S.B., Syvorotka I.I., Börger A., Becker K.D., 2009

Методами високотемпературної in-situ спектроскопії досліджено процеси перезарядження йонів Yb2+  Yb3+ під час високотемпературного відпалу в окиснювальній атмосфері в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12. Встановлено якісні відмінності у перебігу процесів перезарядження в епітаксійних плівках та об’ємних кристалах Yb:Y3Al5O12, зокрема у формі кінетичних залежностей, що їх описують, та тривалості процесу, і показано, що вони пов’язані з відмінностями у швидкості реакції на поверхні зразка та визначаються структурою приповерхневого шару. Встановлено, що швидкість пере¬зарядження у зразках з порушеннями структури поверхні, викликаними механічним шліфуванням та поліруванням, є набагато більшою, ніж в епітаксійних плівках з атомно-гладкою поверхнею.

The recharge process Yb2+  Yb3+ in Yb:YAG epitaxial films under thermo-chemical treatment in oxidizing atmosphere was studied by means of in-situ high temperature spectroscopy. It was revealed that course of Yb2+  Yb3+ recharge process in films differs from that in bulk crystals, particularly, in the form of recharge kinetics and its rate. These differences were shown to be related with differences in the reaction rate on the sample surface and determined by structural perfection of the sample surface. The rate of Yb2+  Yb3+ recharge process was found to be much higher in samples with damaged surface structure caused by mechanical polishing than in epitaxial films with atomically smooth surface.

Кількість посилань – 23

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

В.Ю. Єрохов

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

МУЛЬТИТЕКСТУРА ДЛЯ ФРОНТАЛЬНОЇ ПОВЕРХНІ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ

© Єрохов В.Ю., 2009

V.Yu. Yerokhov

MULTITEXTURE FOR SOLAR SELLS FRONTAL SIDE

© Yerokhov V.Yu., 2009

Для фотоелектричного перетворювача (ФЕП) сонячної енергії розроблено оптичну систему відбивання фронтальної поверхні у вигляді багатофункціональної мультитекстури на основі поруватого кремнію (ПК). Мультитекстуру з низьким інтегральним коефіцієнтом відбивання було створено шляхом переформатування технологічного процесу, об’єднуючи електрохімічні і хімічні методи формування ПК. ФЕП, виготовлені з використанням мультитекстур ПК, показали збільшення ефективності перетворення порівняно із стандартними сонячними елементами.

For the sun energy photoelectric converter (PEC) the reflection optical system of frontal side is developed in the type of multifunction multitexture on the basis of porous silicon (PS). Multitexture with the low integral coefficient of reflection it was created by re-formatting of technological process, uniting the electrochemical and chemical methods of PS. PEC, made with the use of the PS multitexture, showed an increase efficiency of converter comparatively with standard solar cells.

Кількість посилань – 14

Завантажити статтю

УДК 535.321:681.787

Н.A. Андрущак, О.І. Сиротинський

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра телекомунікацій

ІНТЕРФЕРОМЕТРИЧНА УСТАНОВКА ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ПОКАЗНИКА ЗАЛОМЛЕННЯ ПЛОСКОПАРАЛЕЛЬНИХ ПЛАСТИН В ДІАПАЗОНАХ ММ-СУБММ ДОВЖИН ХВИЛЬ. АПРОБАЦІЯ НА ПРИКЛАДІ ОПТИЧНОГО СКЛА І КРИСТАЛІВ КВАРЦУ, САПФІРУ ТА ЕВЛІТИНУ

© Андрущак Н.A., Сиротинський О.І., 2009

N.A. Andrushchak, O.I. Syrotynskiy

THE INTERFEROMETER DEVICE FOR PLANE-PARALLEL PLATES REFRACTION INDEX ESTIMATION AT MM TO SUB-MM WAVELENGTH. TESTING THE EXAMPLES OF OPTICAL GLASS AND FOR QUARTZ, SAPPHIRE, EVLITIN CRYSTALS.

© Andrushchak N.A., Syrotynskiy O.I., 2009

На основі запатентованого нами інтерферометрично-поворотного методу був створений та описаний принцип роботи експериментальної установки для визначення показника заломлення плоскопаралельних пластин із ізотропних чи анізотропних матеріалів в діапазонах міліметрових-субміліметрових (мм-субмм) довжин хвиль. Проаналізовано процес вимірювання зсуву інтерференційної картини на основі розробленого програмного забезпечення, наведено необхідні робочі співвідношення та оцінено експериментальну похибку визначення показника заломлення. Апробацію роботи установки на частоті джерела випромінювання f=33ГГц та відповідний розрахунок значень показників заломлення було здійснено на прикладі плоскопаралельних зразків із оптичного скла (n=1.53), кристалів кварцу (n=2.12), сапфіру (n=3.18) та евлітину (n=2.02).

Based on patented by us interferometer-turning method the experimental set-up for refractive index measurement of parallel plates from isotropic and anisotropic materials in ranges millimeter-submillimeter (mm-submm) wave length have been created and described. The process of interference fringe shift measurement that based on created software has been analyzed, necessary working correlations have been given and experimental accuracy of refractive indexes measurement has been appraised. The set-up approbation for electromagnetic source f=33GGz frequency and necessary calculation of refractive indexes for parallel plate samples of optical glass (n=1.53) and crystaline quarts (n=2.12), sapphire (n=3.18) and evlitine (n=2.02) have been done.

Кількість посилань – 10

Завантажити статтю

УДК 532.783

Т.В. Басюк1, Л.О. Василечко1, І.І. Сиворотка2, В. Березовець3, С.В. Фадєєв1

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки,
2НДЦ “ Карат”,
3Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка

ВЗАЄМОДІЯ РІДКІСНОЗЕМЕЛЬНИХ АЛЮМІНАТІВ В СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ PRALO3 ТА LAALO3

© Басюк Т.В., Василечко Л.О., Сиворотка І.І., Березовець В., Фадєєв С.В., 2009

T.V. Basyuk, L.O. Vasylechko, I. I. Syvorotka, V. Berezovets, S.V. Fadeev

INTERACTION OF RARE EARTH ALUMINATES IN THE PRALO3- AND LAALO3-BASED SYSTEMS

© Basyuk T.V., Vasylechko L.O., Syvorotka I.I., Berezovets V., Fadeev S.V., 2009

Комбінованим методом твердофазного синтезу на повітрі та дугової плавки в атмосфері Аргону виготовлено серію зразків складних оксидів Pr1xRxAlO3 і La1xRxAlO3 (R – рідкісноземельний елемент). Методами порошкової дифракції рентгенівського випромінювання та термічного аналізу досліджено кристалічну структуру, термічне розширення та фазові перетворення твердих розчинів Pr1xRxAlO3 і La1xRxAlO3 в широкому температурному діапазоні. Побудовано діаграми станів деяких псевдо-подвійних систем PrAlO3RAlO3 та LaAlO3RAlO3.

Series of Pr1xRxAlO3 and La1xRxAlO3 (R – rare earth element) specimens were prepared by a combination of solid-state reaction in air and arc-melting in Ar atmosphere. Crystal structure, thermal expansion and phase transformation of Pr1xRxAlO3 and La1xRxAlO3 solid solution have been investigated by means of X-ray powder diffraction technique and thermal analysis in wide temperature range. The phase diagrams of some PrAlO3RAlO3 and LaAlO3RAlO3 pseudo-binary systems have been constructed.

Кількість посилань – 15

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

І.А. Большакова1, Р.Л. Голяка2, А.П. Мороз1, В.Е. Єрашок1, Т.А. Марусенкова1

Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра напівпровідникової електроніки,
2кафедра електронних приладів

СЕНСОРНІ ПРИСТРОЇ МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА СЕНСОРАХ ХОЛЛА З РОЗЩЕПЛЕНОЮ СТРУКТУРОЮ

© Большакова І.А., Голяка Р.Л., Мороз А.П., Єрашок В.Е., Марусенкова Т.А., 2009

I. Bolshakova, R. Holyaka, A. Moroz, V. Yerashok, T. Marusenkova

MAGNETIC FIELD SENSOR DEVICES ON THE HALL SENSORS WITH SPLITTED STRUCTURE

© Bolshakova I., Holyaka R., Moroz A.,Yerashok V., Marusenkova T. 2009

Наведено принципи побудови сенсорних пристроїв магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою. Показано, що шляхом відповідної конструктивної модифікації сенсорів Холла з розщепленою структурою вдається отримати нові функціональні можливості, зокрема, щодо підвищення просторової роздільної здатності та інтегрування декількох сенсорів в дво- та тривимірні структури.

The work is dealing with questions of new magnetic field sensor devices developing on the splitted structure base. It has been shown that by special structure modification of Hall sensors with splitted structure it is possible to achieve new functional abilities, in particular, concerning an improvement of space resolution and the sensors integration into two- and three dimensions structure.

Кількість посилань – 6

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

І.А. Большакова, Я.Я. Кость, О.Ю. Макідо, Ф.М. Шуригін

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ВЛАСТИВОСТІ МІКРОКРИСТАЛІВ INASSB, ВИРОЩЕНИХ З ГАЗОВОЇ ФАЗИ, ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ НЕЙТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ЇХ ПАРАМЕТРИ

© Большакова І.А., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Шуригін Ф.М., 2009

I.A. Bolshakova, Ya.Ya. Kost, O.Yu. Makido, F.M.Shurygin

PROPERTIES OF INASSB MICROCRYSTALS GROWN FROM VAPOR PHASE AND INVESTIGATION OF NEUTRON IRRADIATION INFLUENCE ON THEIR PARAMETERS

© Bolshakova I.A., Kost Ya.Ya., Makido O.Yu., Shurygin F.M., 2009

Представлено результати вирощування методом газотранспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів InAs1-XSbX з різним складом InSb: від 2 до 16 моль %. Визначено, що високою рухливістю носіїв заряду до 30000 см2В-1 характеризуються мікрокристали твердих розчинів складу InAs0,84Sb0,16. Легування оловом мікрокристалів InAs0,84Sb0,16 дає змогу зменшити температурні коефіцієнти сталої Холла та питомого опору порівняно із InSb за збереження високої чутливості до магнітного поля. Одночасно радіаційна стійкість таких кристалів вища за радіаційну стійкість кристалів InAs. Проведені дослідження показали, що кристали твердого розчину InAsSb є перспективними для використання їх як сенсорів магнітного поля в екстремальних умовах.

Results of vapor-transport reaction method application for growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals with different InSb inclusion: from 2 mole% to 16 mole% are presented in the paper. It has been determined that high charge carrier mobility up to 30000 cm2V-1 is characteristic to solid solution microcrystals of InAs0,84Sb0,16 composition. Doping of InAs0,84Sb0,16 microcrystals with stannum allows to decrease temperature coefficients of Hall constant and resistivity as compared to InSb maintaining high magnetic field sensitivity. At the same time, radiation hardness of such crystals is higher than radiation stability of InAs crystals. The conducted research has shown that crystals of InAsSb solid solution are perspective for being used as magnetic field sensors in extreme environment.

Кількість посилань – 7

Завантажити статтю

УДК 539.143.43; 621.317.42

В.В. Браїловський, А.П. Саміла, О.Г. Хандожко

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
кафедра радіотехніки та інформаційної безпеки

ТОПОЛОГІЯ НАПРУЖЕНОСТІ ВИСОКОЧАСТОТНОГО ПОЛЯ КОТУШКИ ДАВАЧА РАДІОСПЕКТРОМЕТРА

© Браїловський В.В., Саміла А.П., Хандожко О.Г., 2009

V.V. Brailovskyy, A.P. Samila, O.G. Khandozhko

TOPOLOGY OF HIGH-FREQUENCY FIELD STRENGTH OF MICROWAVE SPECTROMETER SENSOR СOIL

© Brailovskyy V.V., Samila A.P., Khandozhko O.G., 2009

Досліджено топологію напруженості високочастотного поля котушок різної форми давача радіоспектрометра ЯМР і ЯКР. Найбільша область однорідного поля спостерігається в котушках із змінним кроком намотування витків. Розбіжність профілів залежності інтенсивності ЕПР і напруженості високочастотного поля В1 пояснюється впливом крайового розсіювання напруженості поля на потокозчеплення магнітного поля котушки зі спіновою системою випробувального зразка ДФПГ.

Topology of high-frequency field strength of various-shaped coils of NMR and NQR microwave spectrometer sensor is investigated. The largest area of homogeneous field is observed in the coils with variable winding pitch. The discrepancy in dependence profiles of EPR intensity and high-frequency field strength B1 is attributable to the effect of edge scattering of field strength on the flux linkage of coil magnetic field with the spin system of DPPH sample under test.

Кількість посилань – 5

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

Я.С. Буджак, О.В. Зуб

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ХІМІЧНИЙ ПОТЕНЦІАЛ ЯК ВАЖЛИВА ХАРАКТЕРИСТИКА В АНАЛІЗАХ КІНЕТИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ КРИСТАЛІВ

© Буджак Я.С., Зуб О.В., 2009

Ya.S. Budzhak, O.V. Zub

CHEMICAL POTENTIAL AS A CRUCIAL CHARACTERISTIC IN ANALYSES OF KINETIC PROPERTIES OF CRYSTALS

© Budzhak Ya.S., Zub O.V., 2009

Представлено аналітичну формулу залежності хімічного потенціалу від концентрацій донорної і акцепторної домішок та енергії іонізації донора, яка справедлива в області слабкого виродження носіїв заряду. Запропоновано метод визначення концентрацій донорної і акцепторної домішок та енергії іонізації донора з експериментальних температурних залежностей коефіцієнта термо-ЕРС.

The analytical formula of chemical potential dependence from donor and acceptor concentrations and donor ionization energy is presented. This formula is valid in the region of weak charge carrier degeneration. The method of determination of donor and acceptor concentrations and donor ionization energy from experimental temperature dependences of thermo –e.m.f. coefficient is proposed.

Кількість посилань – 4

Завантажити статтю

УДК 539.293

В.В. Гоблик, В.А. Павлиш, І.В. Ничай

Національний університет "Львівська політехніка",
кафедра електронних засобів інформаційно-комп’ютерних технологій

РОЗПОДІЛ ПОЛЯ ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПЛАСТИНИ ЗІ СКЛАДНИМ ПРОФІЛЕМ ЗМІНИ ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОНИКНОСТІ

© Гоблик В.В., Павлиш В.А., Ничай І.В., 2009

V.V. Hoblyk, V.A. Pavlysh, I.V. Nychai

DISTRIBUTING OF THE FIELD OF DIELECTRIC PLATE WITH COMPLEX PROFILE OF DIELECTRIC PERMITTIVITY CHANGE

© Hoblyk V.V., Pavlysh V.A., Nychai I.V., 2009

Для дослідження особливостей формування поля діелектричної пластини зі складним профілем зміни діелектричної проникності наведено математичну модель у вигляді гіллястого ланцюгового дробу. Представлено результати просторового розподілу поля над структурою для різних значень її конструктивних параметрів та параметрів функції, яка описує її діелектричну проникність.

In given paper the mathematical model in form of branched continual fraction for research of features of forming of the field of periodically nonuniform dielectric plate with complex profile of dielectric permittivity change is considered. The numerical results of spatial distribution of the field for the different parameters of function that discribe dielectric permittivity of plate are represented.

Кількість посилань – 18

Завантажити статтю

УДК 621.39

І.В. Горбатий

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра телекомунікацій

МЕТОД ТА ПРИСТРІЙ ДЛЯ ЗДІЙСНЕННЯ АМПЛІТУДНОЇ МОДУЛЯЦІЇ БАГАТЬОХ СКЛАДОВИХ

© Горбатий І.В., 2009

I.V. Gorbatyy

METHOD AND DEVICE FOR REALIZATION OF AMPLITUDE MODULATION OF MANY COMPONENTS

© Gorbatyy I.V., 2009

Розглянуто сучасні різновиди амплітудно-фазової модуляції та їх особливості. Наведено сигнальні сузір’я найуживаніших різновидів амплітудно-фазової модуляції. Запропоновано метод та пристрій для здійснення різновиду амплітудно-фазової модуляції – амплітудної модуляції багатьох складових. Показано ефективність використання такої модуляції порівняно із квадратурною амплітудною модуляцією.

The modern varieties of amplitude phase modulation and their feature was consider. The signal constellations of the most common varieties of amplitude phase modulation was lead. The method and device for realization of variety of amplitude phase modulation – the amplitude modulation of many components was offered. The efficiency of use of such modulation by comparison to the quadrature amplitude modulation was shown.

Кількість посилань – 5

Завантажити статтю

УДК 621.382

З.Ю. Готра1, Р.Л. Голяка1, С.В. Павлов2, С.С. Куленко2

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра електронних приладів,
2 Вінницький державний технічний університет,
кафедра загальної фізики та фотоніки

ПРИНЦИПИ ЕЛЕКТРОТЕПЛОВОГО МОДЕЛЮВАННЯ ЕЛЕКТРОННИХ СХЕМ З ДИНАМІЧНИМ САМОРОЗІГРІВОМ ЕЛЕМЕНТІВ

© Готра З.Ю., Голяка Р.Л., Павлов С.В., Куленко С.С., 2009

Z.Yu. Hotra, R.L. Holyaka, S.V. Pavlov, S.S. Kulenko

PRINCIPLES OF ELECTRONIC CIRCUITS’S ELECTRO-HEAT MODELING WITH ELEMENTS DYNAMIC SELF HEATING

© Hotra Z.Yu., Holyaka R.L., Pavlov S.V., Kulenko S.S., 2009

Робота скерованана на розширення можливостей традиційних програмних пакетів схемного моделювання PSpiсe та MicroCAP розробленням моделей та принципів електротеплового моделювання електронних схем з динамічним саморозігрівом елементів струмом живлення. Завдання такого електротеплового моделювання характерні для пристроїв потужної електроніки, термостатів, термоанемометричних сенсорів потоку тощо. Запропоновані принципи електротеплового моделювання продемонстровані на прикладах дослідження вольт-амперних характеристик терморезисторів, діодів та транзисторів під час їхнього динамічного саморозігріву.

The work is directed on performance widening of common used PSpiсe and MicroCAP software packets by models and principles developing of electronic circuit’s electro-heat modeling with elements dynamic self heating under supply current. Tasks of such electro-heat modeling are typical ones for power electronic devices, thermostats, thermo-anemometric flow sensors etc. Proposed principles of electro-heat modeling are demonstrated on thermo-resistors’, diodes’ and transistors’ current-voltage characteristics investigation on their dynamic self heating.

Кількість посилань – 14

Завантажити статтю

УДК 621.384: 621.385:621.365:616.31:537.8

І.Р. Дідич, А.М. Зазуляк, О.Т. Кожухар, М.С. Скіра

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра електронних приладів

ОПТОЕЛЕКТРОННИЙ КОНТРОЛЬ ФОТОФЕРЕЗУ

© Дідич І.Р., Зазуляк А.М., Кожухар О.Т., Скіра М.С., 2009

I. Didych, A.Zazuljak, A. Kozhukhar, M. Skira

OPTOELECTRONIC CONTROL OF PHOTOPHERESIS

© Didych I., Zazuljak A., Kozhukhar A., Skira M., 2009

За експериментально виявленими змінами оптичних показників крові після її опромінення лікувальним фотоферезом запропоновано його контроль на основі двох оптоелектронних елементів із різнокольоровими світлодіодами та спільним фотоприймачем, розташованими на вході і виході апарата фотофереза. Якщо різниця між фотострумами елементів відповідає виявленим змінам, фотоферез є успішним.

After experimentally found out the changes of optical indexes of blood after its irradiation medical photospheres his control is offered on the basis of two optronic elements with varicolored light-emitting diodes and general photoresiver, located on an entrance and output of vehicle of photoresiver. If a difference between the photoelectrics of elements answers found out changes, photospheres is successful.

Кількість посилань – 5

Завантажити статтю

УДК 621.375.826

І.В. Демкович, Г.А. Петровська, Я.В. Бобицький

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фотоніки

ФОТОТЕПЛОВИЙ МЕТОД ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТОНКИХ ПЛІВОК

© Демкович І.В., Петровська Г.А., Бобицький Я.В., 2009

I.V. Demkovytch, H.A. Petrovska, Ya.V. Bobitski

THE DETERMINATION PHOTOTHERMAL METHOD OF PARAMETERS THIN FILM

© Demkovytch I.V., Petrovska H.A., Bobitski Ya.V., 2009

Розроблено фототепловий метод контролю параметрів тонкоплівкових покриттів, зокрема, поглинання, температуропровідності, товщини. Для реалізації методу розроблено математичну модель та програмне забезпечення, що дає змогу числовими методами розрахувати просторово-часовий розподіл температурних змін на поверхні досліджуваного зразка типу “підкладка-плівка” за опромінення його лазерним пучком з заданими енергетичними та просторово-часовими характеристиками. Проведено теоретичні дослідження, що дасть змогу встановити залежність теплового відгуку на поверхні зразка від параметрів покриття під час використання імпульсного збуджувального випромінювання.

The photothermal method of control of the thin-film coating parameters (absorption, thermal conductivity, thicknesses) is developed. The mathematical model and the developed software allow to determinate the spatial-temporal distribution of temperature changes on the surface of the investigated “substrate-film” sample caused by laser irradiation under given parameters of the laser beam. The theoretical investigations allow to determine the dependence of the thermal response on the surface of the sample from the parameters of coatings under heating by continuous and pulse exciting radiation.

Кількість посилань – 3

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ВИРОЩУВАННЯ НАНОРОЗМІРНИХ КРИСТАЛІВ SI МЕТОДОМ ГАЗОФАЗОВОЇ ЕПІТАКСІЇ

© Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Нічкало С.І., 2009

А.A. Druzhinin, І.P. Ostrovskii, Yu.М. Khoverko, S.I. Nichkalo

THE GROWTH OF SI NANODIMENSIONAL CRYSTALS BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION

© Druzhinin А.A., Ostrovskii І.P. Khoverko Yu.М., Nichkalo S.I., 2009

Вивчено особливості росту ансамблю нанодротин кремнію методом хімічної газофазової епітаксії у відкритій транспортній системі. Згідно з ПРК-механізмом ріст нанодротин відбувався з використанням реагуючих речовин SiCl4 та H2 і золота як ініціатора росту. Проведено моделювання кінетики росту ниткоподібних кристалів кремнію.

The paper deals with a study of growth peculiarities of Si nanowires array by CVD method in open system. The wires were grown from SiCl4 and H2 precursources using Au as the initiator of growth according to VLS mechanism. Mathematical simulation of silicon nanowires growth kinetics was performed.

Кількість посилань – 14

Завантажити статтю

УДК 544.22.022.342; 535.34; 535.37

Я.А. Жидачевський

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра
Лабораторія фізики оксидних кристалів, Центр “Кристал”

ВПЛИВ КОНЦЕНТРАЦІЇ ІОНІВ МАРГАНЦЮ НА ЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ YALO3:MN

© Жидачевський Я.А., 2009

Ya.A. Zhydachevskii

INFLUENCE OF MANGANESE CONCENTRATION ON THE LUMINESCENCE PROPERTIES OF YALO3:MN CRYSTALS

© Zhydachevskii Ya.A., 2009

Наведено результати дослідження люмінесцентних та термолюмінесцентних властивостей кристалів YAlO3:Mn із концентрацією іонів марганцю від 0.001 до 1 ат.%. Проведені дослідження дали змогу встановити, що для досягнення максимальної інтенсивності люмінесценції іонів Mn2+ в кристалі YAlO3 їх концентрація має бути порядку 0.1 ат.%.

The work presents results of investigation of luminescence and thermoluminescence properties of YAlO3:Mn crystals with concentration of manganese ions from 0.001 to 1 at.%. The presented results allowed to establish that optimal concentration of manganese ions should be about 0.1 at.% in order to achieve a maximal intensity of luminescence of Mn2+ ions in YAlO3 crystal.

Кількість посилань – 5

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

Д.М. Заячук1, С.І. Круковський2, Ю.С. Михащук1,2

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки,
2Науково-виробниче підприємство “Карат”

ФОРМУВАННЯ БУФЕРНИХ ШАРІВ GAAS ДЛЯ НАРОЩУВАННЯ КВАНТОВИХ ТОЧОК МЕТОДОМ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОЇ РІДИННО-ФАЗНОЇ ЕПІТАКСІЇ

© Заячук Д.М., Круковський С.І., Михащук Ю.С., 2009

D.M. Zayachuk, S.I. Krukovsky, Yu.S. Mykhashchuk

FORMATION OF GAAS BUFFER LAYERS FOR GROWING OF QUANTUM DOTS BY LOW TEMPERATURE LIQUID PHASE EPITAXY METHOD

© Zayachuk D.M., Krukovsky S.I., Mykhashchuk Yu.S., 2009

Розроблено і реалізовано технологічні режими нарощування буферних шарів GaAs з перенасичених галієвих розчинів-розплавів, які забезпечують формування робочої поверхні вищої якості стосовно якості поверхні вихідної підкладки. Досліджено поведінку буферних шарів GaAs у контакті з насиченими розчинами-розплавами In-InAs за температури 450 оС. Показано, що за тривалості такого контакту щонайменше дві хвилини перехідні шари з вмістом індію на поверхні підкладки GaAs не утворюються.

Technological conditions for growing of GaAs buffer layers from oversaturated melt-solution are elaborated and realized. The conditions enable to form resulting surface that has higher quality than quality of initial substrate surface. A behavior of GaAs buffer layers being in contact with saturated melt-solution In-InAs at temperature 450 oC is investigated. It is shown that there are no transition layers containing Indium on the surface of GaAs substrate if duration of contact is no more than two minutes.

Кількість посилань – 10

Завантажити статтю

УДК 54.13

В.З. Каліцінський, І.І. Григорчак, І.М. Бордун, Д.В. Матулка, М. Чекайло, Ю.О. Кулик

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра інженерного матеріалознавства та прикладної фізики

“PRE”-“POST” СПРЯЖЕНА МОДИФІКАЦІЯ ПОРИСТОЇ І ЕЛЕКТРОННОЇ БУДОВИ АКТИВОВАНОГО ВУГІЛЛЯ, ОТРИМАНОГО З ЛЛЯНОГО ВОЛОКНА

© Каліцінський В. З., Григорчак І. І., Бордун І.М., Матулка Д.В., Чекайло М., Кулик Ю.О., 2009

V.Z. Kalitsinskyj, I.I. Grygorchak, I.M. Bordun,D.V. Matulka, M.V. Chekaylo, Y.O. Kulyk

“PRE”-“POST” INTERFACED MODIFICATION OF PORE AND ELECTRON STRUCTURE OF ACTIVATED CARBON, WHICH WAS DERIVED FROM FLAX FIBER

© Kalitsinskyj V.Z., Grygorchak I.I., Bordun I.M., Matulka D.V., Chekaylo M.V., Kulyk Y.O., 2009

Розглянуто двоєдину задачу, пов’язану зі спряженням пористої структури вуглецевих матеріалів з їх електронною будовою задля досягнення максимальної ефективності роботи подвійного електричного шару. Досліджено вплив параметрів карбонізації на ємнісні характеристики активованого вугілля. Вихідним матеріалом для отримання активованого вугілля були волокна льону. Запропоновано технології інтеркаляційної модифікації вихідного матеріалу та хімічної модифікації активованого вугілля, які підвищують ефективність роботи подвійного електричного шару.

The double task which is related with coupling a pore structure of carbon materials with its electron structure for receiving maximum efficiency of work of double electric layer (DEL) is considered. The influence of parameters of carbonization process on capacitive characteristics of activated carbon is examined. Fiber flax were used as precursor for production an activated carbon. The technology of intercalation modification of precursor and chemical modification of activated carbon, which enlarge the efficiency of double electric layer, are submitted.

Кількість посилань – 20

Завантажити статтю

УДК.621.3.049

I.T. Когут1, А.О. Дружинін2, В.І. Голота1

Прикарпатський національний університет,
1кафедра радіофізики і електроніки,
Національний університет “Львівська політехніка”,
2 кафедра напівпровідникової електроніки

АРХІТЕКТУРА Й ЕЛЕМЕНТИ ІНТЕГРОВАНОЇ МІКРОСИСТЕМИ НА БАЗОВОМУ МАТРИЧНОМУ КРИСТАЛІ З КНІ-СТРУКТУРОЮ

© Когут I.T., Дружинін А.О., Голота В.І., 2009

I.T. Kogut, A.O. Druzhinin, V.I. Holota

ARCHITECTURE AND ELEMENTS OF INTEGRATED MICROSYSTEM ON THE SPECIALIZED BASE MATRIX CHIP WITH THE SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE

© Kogut I.T., Druzhinin A.А., Holota V.I., 2009

Запропоновано архітектуру спеціалізованого базового матричного кристала (БМК) зі структурою “кремній-на-ізоляторі” (КНІ) для побудови сенсорних мікросистем з монолітною інтеграцією чутливих елементів і схем обробки інформації. Розроблено набори бібліотечних елементів для побудови цифрових та аналогових схем оброблення інформації, уніфіковано чутливі елементи, конструктивно-технологічну основу для проектування сенсорних мікросистем з локальними планарними і тривимірними структурами “кремній-на-ізоляторі” (КНІ).

In this paper the architectura of the specialized base matrix chip (BMC) on the silicon-on-insulator (SOI) structures for creation a sensory microsystem with monolithic integration of sensitive elements and data procesing elements are propoused. The library elements for development of digital, analog cirquits and standartized sensetive elements as well as the structural and technological base for sensory microsystem design on the local planar and 3D SOI-structures is created.

Кількість посилань – 7

Завантажити статтю

УДК 537.312:621.381

І.В. Курило1, І.Є. Лопатинський1, І.О. Рудий1, М.С. Фружинський1, І.С. Вірт2, Т.П. Шкумбатюк2

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фізики, кафедра напівпровідникової електроніки,
2Дрогобицький державний педагогічний університет імені І. Франка

ТОНКОПЛІВКОВІ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ МОДУЛІ НА ОСНОВІ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ V2VI3

© Курило І.В., Лопатинський І.Є., Рудий І.О., Фружинський М.С., Вірт І.С., Шкумбатюк Т.П., 2009

I.V. Kurilo, I.Ye. Lopatynskyi, I.O. Rudyi, M.S. Fruginskyi, I.S. Virt, T.P. Shkumbatiuk

THIN-FILM THERMOELECTRIC MODULES ON THE BASIS NARROW GAP SEMICONDUCTORS V2VI3

© Kurilo I.V., Lopatynskyi I.Ye., Rudyi I.O., Fruginskyi M.S., Virt I.S., Shkumbatiuk T.P., 2009

Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та гетероструктури Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Теплопровідність тонких плівок вимірювали за допомогою 3-ω методу. Наведено характеристики створеного термогенератора на основі термоелектричного модуля.

Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and heterostructures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5 Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K. The thermal conductivity of thin films was obtained by employing the 3-ω method. The present work reports the fabrication and characterization of a thermogenerator based on the principles of thermoelectric module.

Кількість посилань – 7

Завантажити статтю

УДК 621.382; 621.37

Р.І. Лесюк1,3, Я.В. Бобицький1, В. Їллек2 , В.К. Савчук3, Б.К. Котлярчук3

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фотоніки,
2 Університет прикладних наук ім. Г.С. Ома, ФРН,
3 Інститут прикладних проблем механіки і математики НАНУ ім. Я.С. Підстригача

АДГЕЗІЯ ТА НАДІЙНІСТЬ СТРУМОПРОВІДНИХ ШАРІВ, ВИГОТОВЛЕНИХ СТРУМЕНЕВИМ ДРУКОМ НАНОЧАСТИНОК СРІБЛА

© Лесюк Р.І., Бобицький Я.В., Їллек В., Савчук В.К., Котлярчук Б.К., 2009.

R.I. Lesyuk, Y.V. Bobitski, W. Jillek, V.K. Savchuk, B.K. Kotlyarchuk

ADHESION AND RELIABILITY OF CONDUCTIVE LAYERS PRODUCED BY INK-JET PRINITING OF SILVER NANOPARTICLES

© Lesyuk R.I., Bobitski Y.V., Jillek W., Savchuk V.K., Kotlyarchuk B.K., 2009

Проведені дослідження адгезії та деградаційної стійкості струмопровідних доріжок, виготовлених струменевим друком наночастинок срібла в органічній матриці для потреб електроніки. Результати свідчать про відповідність адгезії струмопровідних шарів технічним вимогам після спікання “наночорнила” за температури 200–300 оС. Зафіксовано зростання адгезії із зростанням температури спікання. Проведені випробування зразків у камерах штучного прискореного старіння на предмет вологостійкості та стійкості до перепадів температур.

The adhesion and reliability (degradation persistence) of conductive tracks, produced by ink-jet printing of silver nanoparticles in organic matrix, are investigated. Results indicate, that fabricated interconnects meet the requirements to adhesion of PCB conductive tracks after sintering by 200–300 oC. The increase of adhesion with the temperature is shown. The investigations of durability to high humidity conditions and temperature shock are in cameras of fast artificial aging were carried out.

Кількість посилань – 15

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

О.І. Логуш1, В.А. Павлиш2

Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра напівпровідникової електроніки,
2кафедра електронних засобів, інформаційно-комп’ютерних технологій

СТАБІЛІЗАЦІЯ ПАРАМЕТРІВ МОН-СТРУКТУР ПРИ ГЕТЕРУВАННІ ДЕФЕКТІВ КРЕМНІЄВОЇ ПІДКЛАДКИ ЦИНКОМ

© Логуш О.І., Павлиш В.А., 2009

O.I. Logush, V.A. Pavlysh

MOS-STRUCTURE PARAMETERS STABILIZATION BY SILICON SUBSTRATE DEFECTS GETTERING WITH ZINC

© Logush O.I., Pavlysh V.A., 2009

Наведено результати експериментальних досліджень впливу гетерування цинком на суцільність плівок SiO2. Показано, що введення цинку в парогазове середовище за термічного окислення кремнію приводить до покращання суцільності плівок. Експериментально підтверджена модель процесу гетерування тримірних дефектів плівок термічного діоксиду кремнію, яка полягає у зниженні рухливості дислокацій приповерхневої області кремнієвих пластин і зменшення внаслідок цього локальних напружень плівок в процесі росту.

The results of experimental investigations of zinc gettering influence on uniformity of SiO2 films and parameters of MOS-structures as a whole are shown. It was demonstrated that adding of zinc into vapor during silicon thermal oxidation results in improvement of films uniformity. The model of gettering process of 3D-defects in thermal silicon dioxide films, which consists in decreasing of dislocation mobility in silicon wafer surface region thus leading to decreasing of local film stresses during growth process, is experimentally approved.

Кількість посилань – 17

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

О.П. Малик

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

РОЗСІЯННЯ ВАЖКИХ ДІРОК НА БЛИЗЬКОДІЮЧОМУ ПОТЕНЦІАЛІ КРИСТАЛІЧНИХ ДЕФЕКТІВ У ТВЕРДОМУ РОЗЧИНІ ZNXCD1-XTE (0.16 ≤ X ≤ 0.9)

© Малик О.П., 2009

O.P. Malyk

HEAVY-HOLE SCATTERING ON THE SHORT-RANGE POTENTIAL OF THE CRYSTAL LATTICE DEFECTS IN ZNXCD1-XTE (0.16 ≤ X ≤ 0.9) SOLID SOLUTION

© Malyk О.Р., 2009

Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в ZnxCd1-xTe (0.16  x  0.9). Розраховано температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 50–300 K.

The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnxCd1-xTe (0.16  x  0.8) are considered. The temperature dependences of the heavy-hole mobility in temperature range 50–300 K are calculated.

Кількість посилань – 31

Завантажити статтю

УДК 621.317.4

Л.П. Павлик1, С.Б. Убізський1, А.Б. Лозинський2, Г.В. Савицький3

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
2 Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України,
3 Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України

АНАЛІЗ РЕАКТИВНОГО КОЛА ЗБУДЖЕННЯ ФЕРОЗОНДА З ОБЕРТАЛЬНИМ ПЕРЕМАГНІЧУВАННЯМ ДИСКОВОГО ОСЕРДЯ

© Павлик Л.П., Убізський С.Б., Лозинський А.Б., Савицький Г.В. 2009

L.P. Pavlyk, S.B. Ubizskii, A.B. Lozynskyy, G.V. Savytskyy

THE REACTIVE EXCITATION CIRCUIT ANALYSIS OF THE FLUXGATE WITH ROTAIONAL MAGNETIZATION REVERSAL OF THE DISK CORE

© Pavlyk L.P., Ubizskii S.B., Lozynskyy A.B., Savytskyy G.V. 2009

Проведено аналіз режимів роботи ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги та побудовано модель відгуку на компоненти вимірюваного магнітного поля у площині дискового осердя. Встановлено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму на котушці збудження. За умови, що частота збудження удвічі менша за резонансну частоту контуру збудження, чутливість ферозонда квадратично зростає з частотою і може перевищувати чутливість ферозонда у режимі збудження струмом. При цьому зникає необхідність у вимірювальній котушці, що спрощує конструкцію ферозонда. Розроблена модель дає змогу оцінити потенційну чутливість ферозонда та оптимізувати параметри його конструкції.

The operation modes’ analysis of fluxgate with rotation magnetization reversal of isotrope disk core under harmonic voltage driving excitation is curried out and the response model is developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was established that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. At condition that the excitation frequency is twice less than the resonance frequency of excitation circuit the fluxgate sensitivity rises quadratically and can exceed the sensitivity in the current driving excitation mode. At this the necessity in pick-up coils disappears that simplifies the fluxgate construction. The developed model allows estimating a potential performance of fluxgate and optimizing its construction parameters.

Завантажити статтю

УДК 53.082.54: 681.787

В.Я. Татарин, Г.А. Петровська

Національний університет “Львівська політехніка”
кафедра фотоніки

ОПТИМІЗАЦІЯ ПАРАМЕТРІВ СКАНУВАЛЬНОГО ІНТЕРФЕРОМЕТРА ФАБРІ-ПЕРО З ЦИФРОВОЮ ОБРОБКОЮ ВИХІДНОГО СИГНАЛУ

© Татарин В.Я., Петровська Г.А., 2009

V.Ya. Tataryn, H.A. Petrovska

OPTIMIZATION OF THE PARAMETERS OF SCANNING FABRI-PEROT INTERFEROMETR WITH DIGITAL SIGNAL PROCCEDING

© Tataryn V.Ya., Petrovska H.A., 2009

Розглянуто вплив характеристик АЦП на чутливість сканувального інтерферометра Фабрі-Перо з цифровою обробкою вихідного сигналу. Аналітично розраховано похибку вимірювань, зумовлену обмеженою частотою дискретизації та скінченним кроком квантування вихідного сигналу. Це дає змогу визначити максимально допустимі значення коефіцієнтів відбивання дзеркал інтерферометра для вибраної частоти розгортки, що забезпечує як адекватне аналогово-цифрове перетворення вихідного сигналу, так і максимальне співвідношення сигнал-шум на вході аналогово-цифрового перетворювача.

It is considered an influence of ADC characteristics on the sensitiveness of scanning Fabri-Perot interferometr with digital signal procceding. An error of measurings is analytically calculated taking into consideration the limited frequency of discretisation and the step of quantum of initial signal. It allows to find the maximally possible values of reflectivities of mirrors of interferometer at the set frequency of involute, which provides both adequate analog digital transformation of initial signal and maximal correlation signal to noise on the ADC input.

Кількість посилань – 4

Завантажити статтю

УДК 621.382.323

М.В. Тиханський, А.І. Партика

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ЗАЛЕЖНІСТЬ РЕЖИМУ РОБОТИ ДЖОЗЕФСОНІВСЬКИХ КРІОТРОНІВ ВІД СИЛИ СТРУМУ ЗМІЩЕННЯ

© Тиханський М.В., Партика А.І., 2009

M.V. Tyhanskyi, A.I. Partyka

BIAS CURRENT DEPENDENCE OF THE OPERATIONAL REGIME OF JOSEPHSON CRYOTRONS

© Tyhanskyi M.V., Partyka A.I., 2009

Методами математичного моделювання досліджено вплив струму зміщення на перехідні процеси в джозефсонівських елементах пам’яті (кріотронах) на основі окремих джозефсонівських тунельних переходів (ДТП). Керування логічним станом кріотронів здійснювалось за допомогою імпульсів струму. За результатами моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів – часові залежності напруги під час зміни їх логічного стану і визначено час комутації. Розрахунки проводились для різних значень сили струму зміщення кріотрона, на отриманих залежностях часу комутації кріотронів від величини ємності та нормальної провідності ДТП виявлено інтервали стабільності роботи кріотронів та встановлено їх межі.

In the present work, we studied a mathematical model of transitional processes in Josephson memory cells (cryotrons) based on individual Josephson tunneling junctions (JTJ). The logical state of the cryotrons was controlled by means of current impulses. From the results of the modeling we determined transitional characteristic of the cryotrons, i. e., time dependences of the voltage across a cryotron during the change of its logical state, and the commutation time. For different values of the bias current of the cryotrons, we derived the dependence of the commutation time on the capacitance and normal conductance of the JTJ and determined stable operational regimes of the cryotrons.

Кількість посилань – 11

Завантажити статтю

УДК 537.311

К.К. Товстюк

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

КЛАСИФІКАЦІЯ ПОДВІЙНИХ ПЕРЕСТАНОВОК ЯК ПРЕДСТАВЛЕННЯ ФЕЙНМАНОВИХ ДІАГРАМ ДЛЯ ЕЛЕКТРОН-ФОНОННОЇ ВЗАЄМОДІЇ

© Товстюк К.К., 2009

С.С. Tovstyuk

CLASSIFICATION OF DOUBLE PERMUTATIONS AS REPRESENTATION OF FEYNMAN DIAGRAMS FOR ELECTRON PHONON INTERACTION

© Tovstyuk C.C., 2009

Проаналізовано подвійні перестановки для функції Гріна електронів за електрон-фононної взаємодії, що описується гамільтоніаном Фреліха. Подвійні перестановки і діаграми Фейнмана відповідають однаковим аналітичним виразам. Проведена у роботі класифікація та доведені теореми дають змогу ідентифікувати клас подвійних перестановок, які відповідають незв’язаним та звідним діаграмам Фейнмана, а також таким діаграмам, які містять функції Гріна фононів, і виділити клас подвійних перестановок, які відповідають масовому оператору за Т=0. Запропонований метод дасть змогу аналізувати потрібну фізичну величину (масовий оператор, поляризаційний оператор, густину часток) у високих порядках теорії збурення.

The analysis of double permutations for electron Green function in electron – phonon interaction, represented by Frelich Hamiltonian is carried out in this work. Double permutations (DPs) and corresponded Feynman diagrams define the same analytical expressions. The classification, carried out in this work, allows to identify the class of DPs, corresponded to disconnected and improper Feymnan diagrams, to diagrams including phonon Green functions and to separate the class of DPs corresponding to mass operator at T=0. This method allows to analyze the requited physical magnitude (mass operator, polarization, density of particles) in high orders of perturbation theory .

Кількість посилань – 7

Завантажити статтю

УДК 621.317.4

С.Б. Убізський1, Л.П. Павлик1, І.І. Сиворотка2

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки,
2 Науково-виробниче підприємство “Карат”

ХАРАКТЕРИСТИКИ ЕФЕКТИВНОСТІ МАГНІТООПТИЧНОЇ ВІЗУАЛІЗАЦІЇ ПРОСТОРОВИХ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ МАГНІТНОГО ПОЛЯ МЕТОДОМ ІНДИКАТОРНОЇ ПЛІВКИ

© Убізський С.Б., Павлик Л.П., Сиворотка І.І. 2009

Ubizskii S.B., Pavlyk L.P., Syvorotka I.I.

PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF MAGNETO-OPTIC VISUALIZATION OF THE SPATIALLY IRREGULAR MAGNETIC FIELD BY MEANS OF INDICATOR FILM METHOD

© Ubizskii S.B., Pavlyk L.P., Syvorotka I.I. 2009

У роботі з точки зору перехідної характеристики перетворення проаналізована ефективність магнітооптичної візуалізації (МОВ) просторово-неоднорідних магнітних полів розсіяння методом індикаторної плівки з площинною намагніченістю, зокрема чутливість, лінійність перетворення, польова та просторова роздільна здатність. Розглядаються два режими реалізації МОВ – традиційний режим максимального оптичного контрасту та режим максимальної чутливості. Показано, що саме другий режим разом з вторинним обробленням отриманих зображень доцільно використовувати з погляду отримання кількісної інформації про параметри розподілу магнітних неоднорідностей на поверхні об’єкта дослідження.

The performance of the magneto-optic visualization (MOV) spatially irregular magnetic leakage fields by means of indicator film with in-plane magnetization is analyzed on the base of transducer characteristic, namely sensitivity, transducing linearity, field and spatial resolution. Two MOV modes are considered: the traditional one of maximum optical contrast and the maximum sensitivity one. It is shown that exactly the second mode accompanied with the secondary image processing is purposeful to use for quantitative information obtaining about the distribution parameters of magnetic irregularities on the inspection subject surface.

Кількість посилань – 26

Завантажити статтю

PACS: 81.70.PG; 82.75.FQ; 82.60.CX

М.В. Чекайло1, В.О. Українець2, Г.А. Ільчук2, Ю.П. Павловський3,

Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра органічної хімії,
2кафедра фізики,
3кафедра фізичної та колоїдної хімії

ДИФЕРЕНЦІАЛЬНИЙ ТЕРМІЧНИЙ АНАЛІЗ ШИХТИ SI–SE, AG-SI–SE В ПРОЦЕСІ ЇЇ НАГРІВАННЯ ТА СИНТЕЗУ СПОЛУК SISE2, AG8SISE6

© Чекайло М.В., Українець В.О., Ільчук Г.А., Павловський Ю.П., 2009

M.V.Chekaylo, V.O. Ukrainets, G.A. Il’chuk, Yu.P. Pavlovsky

DIFFERENTIAL THERMAL ANALYSIS OF AG-SI-SE, SI-SE CHARGE MATERIALS IN PROCESS OF HEATING AND SYNTHESIS OF AG8SISE6, SISE2 COMPOUNDS

© Chekaylo M.V., Ukrainets V.O., Il’chuk G.A., Pavlovsky Yu.P., 2009

З використанням методу диференціального термічного аналізу (ДТА) вперше комплексно досліджено процеси фазових перетворень (ФП) та перебігу хімічних реакцій, що супроводжують нагрівання шихти Ag-Si-Se та Si-Se у стехіометричних співвідношеннях, що відповідають сполукам аргіродиту (Ag8SiSe6) та SiSe2. Ідентифіковано основні типи ФП і хімічних реакцій утворення сполук Ag8SiSe6, SiSe2 та визначено їхні характерні теплоти і температурні діапазони перебігу реакцій. Дослідженням ДТА під час охолодженя експериментально продемонстровано утворення сполуки Ag8SiSe6.

With a help of method of differential thermal analysis (DTA), processes of phase transformations (PT) and the course of the chemical reactions which accompany the heating of Si-Se and Ag-Si-Se charge materials have been for the first time in complex way investigated in the stoichiometric proportions which correspond to the compounds of argyrodite (Ag8SiSe6) and SiSe2. Main types of PT and the chemical reactions of the formation of Ag8SiSe6, SiSe2 compounds are identified; their characteristic heats and temperature ranges of reactions proceeding are determined. By mean of DTA under cooling, formation of Ag8SiSe6 compound has been experimentally demonstrated.

Кількість посилань – 26

Завантажити статтю

Syndicate content